[发明专利]离子植入方法有效
| 申请号： | 200680022735.8 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101208777A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 兰德尔·卡尔佛;特伦斯·B·麦克丹尼尔;王虹美;詹姆斯·L·戴尔;理查德·H·莱恩;弗雷德·D·菲什伯恩 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子植入方法，其包括形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征。将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口。在此类间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到被接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中。在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。预期有其它方面和实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入方法，其包括：形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征；将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口；在所述间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中；以及在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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