[发明专利]半导体器件及这种器件的制造方法有效
| 申请号： | 200680022967.3 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101208801A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韦伯·D·范诺尔特;简·雄斯基;菲利浦·默尼耶－贝拉德;埃尔温·海曾 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/78;H01L29/165;H01L29/10;H01L29/41;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/74;H01L21/762;H01L21/74 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和硅半导体本体(12)，包括具有晶体管(T)的有源区(A)和围绕有源区(A)的无源区(P)，并且配置有与从半导体本体(12)的表面下陷的金属材料导电区(2)相连的金属材料掩埋导电区(1)，据此所述掩埋导电区(1)至少是在半导体本体(12)的有源区的位置处是可电连接的。根据本发明，掩埋导电区(1)是在半导体本体(12)的有源区(A)的位置处的。按照这种方式，使用具有与周围的硅完全不同的结晶性质的金属材料，可以在半导体本体(12)的有源区(A)处局部地产生非常低的掩埋阻抗。这通过使用根据本发明的方法是可行的。这种掩埋的低阻抗对于双极型晶体管和MOS晶体管两者提供实质上的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 这种 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和硅半导体本体(12)，包括具有晶体管(T)的有源区(A)和围绕有源区(A)的无源区(P)，并且配置有与从半导体本体(12)的表面下陷的金属材料导电区(2)相连的金属材料的掩埋导电区(1)，其特征在于：所述掩埋导电区(1)至少形成在半导体本体(12)的有源区的位置处。
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