[发明专利]无铅半导体封装件有效
| 申请号： | 200680023364.5 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101208790A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | R·N·马斯特;S·A·安纳德;S·帕塔萨拉蒂;Y·C·美 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/498;B23K35/26;C22C13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种封装件基片(package substrate)包含芯片焊垫(die solder pad)以及管脚填锡(pin solder fillet)。管脚填锡可包括约90wt％至约99wt％之间的锡以及约10wt％至1wt％的锑。芯片焊垫可包括约4wt％至约8wt％之间的铋、约2wt％至约4wt％的银、约0wt％至约0.7wt％的铜、以及约87wt％至约92wt％的锡。芯片焊垫可包括约7wt％至约20wt％之间的铟、约2wt％至约4.5wt％之间的银、约0wt％至约0.7wt％之间的铜、约0wt％至约0.5wt％之间的锑、以及约74.3wt％至约90wt％之间的锡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种封装件基片(4)，具有芯片面与管脚面、位于上述芯片面上的多个芯片焊垫(3)、以及位于上述管脚面上的多个管脚填锡(5)；上述多个芯片焊垫(3)具有芯片焊垫回焊温度且上述多个管脚填锡(5)具有管脚填锡回焊温度，其中上述芯片焊垫回焊温度低于上述管脚填锡回焊温度，且其中上述管脚填锡回焊温度低于上述封装件基片(4)的分解温度；上述多个芯片焊垫(3)包括约4wt％至约8wt％之间的铋、约2wt％至约4wt％的银、约0wt％至约0.7wt％的铜、以及约87wt％至约92wt％的锡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
