[发明专利]半导体处理方法和半导体构造

摘要

本发明包含形成隔离区的方法。可形成延伸进入半导体材料的开口，且可用衬里保护所述开口的上部周边，但下部周边没有衬里。接着可蚀刻所述无衬里部分以形成所述开口的加宽区。随后，可用绝缘材料填充所述开口以形成隔离区。接着可在所述隔离区的相对侧上形成晶体管装置，且通过所述隔离区使其彼此电隔离。本发明还包含半导体构造，其含有延伸进入半导体材料的电绝缘隔离结构，所述结构具有球根状底部区和从所述底部区向上延伸到所述半导体材料的表面的茎部区。

主权项

1.一种半导体处理方法，其包括：提供半导体材料；形成延伸进入所述半导体材料的开口；用衬里保护所述开口的上部周边，同时留下所述开口的下部周边的至少一部分没有衬里；在保护所述上部周边的同时，蚀刻穿过所述无衬里部分以形成所述开口的球根状延伸部；以及用绝缘材料大致填充所述球根状延伸部。