[发明专利]在紧凑模型中用于基于版图调整和优化氮化物衬垫应力效应的方法有效
| 申请号： | 200680027690.3 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101427214A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | D·奇达姆巴拉奥;D·L·乔丹;J·H·麦卡伦;D·M·翁桑戈;T·瓦格纳;R·Q·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06F7/48 | 分类号： | G06F7/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于紧凑模型算法(310-350)的系统和方法，其准确地考虑半导体器件(200)中氮化物衬垫(260)应力所引起的版图相关的变化的影响。与版图相关的紧凑模型算法(310-350)通过实现用于获得正确的应力响应近似的算法以及用于获得正确的驱动应力响应的几何参数的版图提取算法，来考虑大的版图变动对电路的影响。具体地，这些算法包括来自面向方向的搜索“桶”的特定信息，并且包括特定方向的距离测量以用于详细分析该半导体器件的附近区域的特定形状。所述算法还适合于支持具有单个应力衬垫薄膜和双应力衬垫(260)(在一个界面处邻接的两个不同衬垫薄膜)的器件的建模和应力影响确定。 | ||
| 搜索关键词： | 紧凑 模型 用于 基于 版图 调整 优化 氮化物 衬垫 应力 效应 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于对半导体晶体管器件(200)进行建模的方法，该器件具有一个或多个提供晶体管应力效应的衬垫薄膜(260)，所述方法包括下列步骤：a)将物理晶体管设计信息的表示转换为对应于所述晶体管的实际形状尺寸(310)，b)将实际形状尺寸转换为由所述一个或多个衬垫薄膜贡献的晶体管器件应力水平(343)；以及c)生成在对包括所述晶体管器件的电路进行建模中所使用的紧凑模型参数(345，346)，所述紧凑模型参数包括当对所述晶体管器件进行建模时在量化应力效应的影响中所使用的以及基于所述计算的应力水平的模型参数。
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