[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有衬底(12)和硅半导体主体(11)的半导体器件(10)，该半导体器件包括双极晶体管，该双极晶体管带有分别是第一导电类型的发射极区域、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域和第一导电类型的集电极区域(1，2，3)，包括集电极区域或发射极区域的第一半导体区域被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部出现的是包括基极区域的第二半导体区域，在该第二半导体区域顶部出现的是包括所述的集电极区域和发射极区域中的另外一个的第三半导体区域，在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置，所述的半导体主体(11)被提供了压缩层，该压缩层是通过掩埋在半导体主体(11)中的电绝缘区域(26，27)形成的。按照本发明，在掩埋的电绝缘区域(26，27)上形成的半导体主体的部分是单晶体，这使得器件的横向小型化，并使晶体管具有卓越的高频特性。按照本发明的制造方法，可以制造这样的器件(10)。

主权项

1.一种半导体器件(10)，其具有衬底(12)和硅半导体主体(11)，该半导体器件包括双极晶体管，该双极晶体管具有分别是第一导电类型的发射极区域(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域(2)和所述第一导电类型的集电极区域(3)，包括集电极区域或发射极区域的第一半导体区域(3)被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部出现的是包括基极区域(2)的第二半导体区域(2)，在该第二半导体区域顶部出现的是包括所述的集电极区域和发射极区域中另外一个的第三半导体区域(1)，所述半导体主体(11)在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置处被提供了压缩层，该压缩层是通过掩埋在半导体主体(11)中的电绝缘区域(26，27)形成的，该半导体器件的特征是：在掩埋的电绝缘区域上形成的半导体主体(11)的部分是单晶体。