[发明专利]电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板无效
申请号: | 200680030441.X | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN101243548A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 金谷雄一;田中俊明;板桥俊明 | 申请(专利权)人: | 日立化成杜邦微系统股份有限公司;日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电路连接结构体,其利用追加的表面处理而在耐热性树脂膜中导入化学上稳定的官能基从而改善粘接性,即使在高温高湿环境下,在耐热性树脂膜和电路粘接构件间也呈现良好的粘接性。在电路连接结构体1A中,半导体基板2和电路构件3利用它们之间所夹持的电路粘接构件4进行粘接。另外,利用电路粘接构件4中的导电性粒子8,可使半导体基板2表面的第一电路电极5和电路构件3的第二电路电极7电连接。半导体基板2使用含有氮气、氨气等的气体,利用等离子处理而进行表面改性处理。因此,半导体基板2的耐热性树脂膜5和电路粘接构件4,即使在高温高湿环境下也可长期被牢固地粘接。 | ||
搜索关键词: | 电路 连接 结构 及其 制造 方法 以及 体用 半导体 | ||
【主权项】:
1.一种电路连接结构体的制造方法,其特征在于,包括:使用含有从氮气、氨气及肼气体构成的组中选择的至少一种气体的氮系气体,对表面具有耐热性树脂膜及第一电路电极的半导体基板进行等离子处理,从而进行表面改性处理的工序;使所述已进行表面改性处理的半导体基板、和在表面具有与所述第一电路电极对置的第二电路电极的电路构件隔着电路粘接构件,以所述第一及第二电路电极对置的方式进行配置的工序;以及将所述半导体基板及所述电路构件进行压接,使所述半导体基板及所述电路构件进行粘接,且将对置的所述第一及第二电路电极彼此进行电连接的压接工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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