[发明专利]具有侧栅控和顶栅控读出晶体管的双端口增益单元有效
| 申请号： | 200680030712.1 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101248529A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | J·曼德尔曼;程慷果;R·迪瓦卡鲁尼;C·拉登斯;王耕 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种DRAM存储器单元和用于利用绝缘体上硅(SOI)CMOS技术制作密集(20或18方)布局的工序。具体而言，本发明提供一种与现有SOI CMOS技术兼容的密集且高性能的SRAM单元配置。本领域中已知各种增益单元布局。本发明通过提供利用SOI CMOS制作的密集布局而改进了现有技术。广义上说，存储器单元包括分别设置有栅极、源极和漏极的第一晶体管；分别具有第一栅极、第二栅极、源极和漏极的第二晶体管；以及具有第一端子的电容器；其中，所述电容器的第一端子和所述第二晶体管的第二栅极包括单个实体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧栅控 顶栅控 读出 晶体管 端口 增益 单元 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器单元，包括：第一晶体管，分别具有栅极、源极和漏极；第二晶体管，分别具有第一栅极、第二栅极、源极和漏极；以及电容器，具有第一端子，其中所述电容器的第一端子和所述第二晶体管的第二栅极包括单个实体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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