[发明专利]具有位寄存层的半导体存储装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 200680034086.3 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101268521A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 尹洪植;吕寅硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储装置包括具有用于存储数据的多个存储单元的存储层，以及至少一个用于记录是否存储单元是有缺陷的状态信息的位寄存层。该存储层可以是纳米级存储器件，比如分子存储器、碳纳米管存储器、原子存储器、单电子存储器、或由自下而上的化学方法制备的存储器等。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 寄存 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有多个用于存储数据的存储单元，该半导体存储装置包括：至少一个用于记录关于该存储单元的状态信息的位寄存层。
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