[发明专利]溅射靶、透明导电膜和触摸板用透明电极有效
| 申请号： | 200680035078.0 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101273153A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉;田中信夫;岛根幸朗 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种铟含量少高密度且低电阻的溅射靶、及使用该溅射靶制作的透明导电膜和触摸板用透明电极。本发明的溅射靶，以铟、锡、锌为主要成分，由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.10～0.35，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.15～0.35，由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.50～0.70，并且，该溅射靶是含有由In2O3(ZnO)m(m为3～9的整数)表示的六方晶层状化合物及由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 透明 导电 触摸 电极 | ||
【主权项】：
1、一种溅射靶，其特征在于，以铟、锡、锌为主成分，由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.10～0.35，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.15～0.35，由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.50～0.70，并且，该溅射靶是含有由In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物及由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体，其中，m为3～9的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社，未经出光兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680035078.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
