[发明专利]用于处理基底的装置和方法无效
| 申请号： | 200680035472.4 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101273442A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 崔从洙;崔永权 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种方法，所述方法能够在通过供应光刻胶进行涂敷处理之前，使晶片的温度保持在处理温度上。根据本发明，在供应所述光刻胶之前，将有助于所述光刻胶扩散的稀释剂供应到所述晶片上。在温度控制状态下供应所述稀释剂，使得所述晶片通过所述稀释剂具有处理温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 基底 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上以进行处理来处理所述基底，所述装置包括：支撑部件，其上安装有所述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上，在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括：流体供应管，所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
