[发明专利]薄膜元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜元件的制造方法，其特征在于以下步骤：在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体(2)的结晶层(2)上外延生长第一种材料的结晶层(4)，所述第一种材料层(4)其厚度使其晶格参数由支撑体(2)结晶层(2)的晶格参数决定；在所述第一种材料层(4)的与支撑体(2)相反的一面形成介电层(8)以形成施体结构(2，4，8)；将施体结构(2，4，8)与一个受体衬底(10)进行组装；去除支撑体(2)。

主权项

1.一种薄膜元件制造方法，其特征在于以下步骤：-在由不同于第一种材料的第二种材料形成的一支撑体(2；12)的结晶层(2；12)上外延生长第一种材料的结晶层(4；14)，所述的第一种材料层(4；14)具有的厚度使其结晶参数由所述支撑体(2；12)结晶层(2；12)的晶格参数决定；-在所述第一种材料层(4；14)的与所述支撑体(2；12)相反的一面上形成介电层(8；18)，以形成施体结构(2，4，8；12，14，18)；-将所述施体结构(2，4，8；12，14，18)与一个受体衬底(10)组装在一起；-去除所述支撑体(2；12)。