[发明专利]CIS系薄膜太阳电池组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680036008.7 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101278407A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 栉屋胜巳 | 申请（专利权）人： | 昭和砚壳石油株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种CIS系薄膜太阳电池组件及其制造方法。该CIS系薄膜太阳电池组件迅速且可靠地识别浮法青板玻璃基板的不含Sn的空气面，使上述空气面统一为上表面，在空气面上制作CIS系薄膜太阳电池器件膜，提高转换效率及成品率，降低制造成本。对玻璃基板表面照射紫外线，在发光的情况下，识别(P1)该面为含Sn的浮面B，对该面施加(P2)含Sn标记。在不施加含Sn标记的空气面A为上表面的情况下，直接经过清洗干燥工序，在空气面A上制作CIS系薄膜太阳电池器件膜。在浮面B为上表面的情况下，使其上下翻转(P3)后，经过清洗干燥工序(P4)，在上表面的空气面A上制作(P5)CIS系薄膜太阳电池器件膜。 | ||
| 搜索关键词： | cis 薄膜 太阳电池 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CIS系薄膜太阳电池组件，其特征在于，作为浮法玻璃的青板玻璃的表面由不含Sn的空气面和含Sn的浮面构成，在上述青板玻璃的上述空气面上形成CIS(CuInSe2系)系薄膜太阳电池器件。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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