[发明专利]溅射靶、低电阻率透明导电膜、该膜的制备方法及用于该方法的组合物无效
| 申请号： | 200680036302.8 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101277910A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | P·库马;G·沃汀;R·R·吴 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克公司;H.C.施塔克制陶业有限两合公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/453;C04B35/117;C04B35/495;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种主要由以下组分组成的组合物：a)约0.1－60摩尔％的MoO2，b)约0－99.9摩尔％的In2O3，c)约0－99.9摩尔％的SnO2，d)约0－99.9摩尔％的ZnO，e)约0－99.9摩尔％的Al2O3，f)约0－99.9摩尔％的Ga2O3，其中组分b)－f)之和约为40－99.9摩尔％，其中所述摩尔百分数是基于产品的总量为基准计，所述组分a)－e)之和为100。本发明还涉及该组合物的煅烧产品，由所述煅烧产品制得的溅射靶和由所述组合物制得的透明导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 电阻率 透明 导电 制备 方法 用于 组合 | ||
【主权项】：
1.一种主要由以下组分组成的组合物：a)约0.1-60摩尔％的MoO2，b)约0-99.9摩尔％的In2O3，c)约0-99.9摩尔％的SnO2，d)约0-99.9摩尔％的ZnO，e)约0-99.9摩尔％的Al2O3，f)约0-99.9摩尔％的Ga2O3，其中组分b)-f)之和约为40-99.9摩尔％，其中所述摩尔百分数是以产品的总量为基准计，所述组分a)-e)之和为100。
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