[发明专利]在场效应晶体管中形成不对称叠加电容的结构和方法有效
| 申请号： | 200680036820.X | 申请日： | 2006-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101647108A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 吴立明 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成用于半导体器件的不对称隔离物结构的方法，包括在置于半导体衬底(104)之上的至少一对相邻隔开的栅极结构(102)之上形成隔离物层(130)。栅极结构(102)被隔开，使得隔离物层(130)在栅极结构(102)之间的区域中以第一厚度形成并且在别处以第二厚度形成，第二厚度大于所述第一厚度。蚀刻隔离物层使得针对该一对相邻隔开的栅极结构形成不对称隔离物结构。 | ||
| 搜索关键词： | 在场 效应 晶体管 形成 不对称 叠加 电容 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成用于半导体器件的不对称隔离物结构的方法，所述方法包括：在置于半导体衬底之上的至少一对相邻隔开的栅极结构之上形成隔离物层，其中所述栅极结构被隔开，使得所述隔离物层在所述栅极结构之间的区域中以第一厚度形成并且在别处以第二厚度形成，所述第二厚度大于所述第一厚度；以及蚀刻所述隔离物层，使得形成与所述一对相邻隔开的栅极结构的侧壁相邻的不对称隔离物结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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