[发明专利]半导体衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 200680036884.X | 申请日： | 2006-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101278377A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 野上彰二;山冈智则;山内庄一;辻信博;森下敏之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/205;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种使外延膜平坦化并形成杂质扩散层之后形成也能够在定位中使用的定位标记的半导体衬底。在N+型衬底(1)的定位区域形成沟槽(11)，利用该沟槽(11)形成N－型层(2)之后，残留空隙(3)。能够利用该N+型衬底(1)中所形成的空隙作为定位标记。因此，使用这样的半导体衬底，能够在之后的半导体装置的制造步骤中取得定位，能够在所希望的位置上准确地形成构成半导体装置的各要素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其特征在于，具有由单晶半导体构成的衬底(1)和形成在所述衬底(1)的表面上且由单晶构成的半导体层(2)，在所述衬底(1)的与器件形成区域不同的定位区域，在所述衬底(1)中形成成为定位标记的空隙(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
