[发明专利]用于邻近校正和检查的体现设计者意图的容差带有效
申请号: | 200680037958.1 | 申请日: | 2006-10-11 |
公开(公告)号: | CN101288080A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | S·M·曼斯费尔德;L·W·利布曼;I·格罗尔;A·克拉斯诺佩罗瓦 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过形成关注的设计层的容差带,提供了一种用于半导体设计的传递设计者希望的电学特性的方法,其中在形成所述容差带时考虑了来自这样的设计层的约束,所述设计层与所述关注的设计层上的特征相互作用并影响所述关注的设计层上的特征。所述方法确定区域即容差带,在所述区域内印刷所述关注的层的特征的印刷的边缘将符合预定的标准,并满足各种约束,包括但不限于由于其他层上的特征的影响而产生的电学、覆盖以及可制造性约束。所述方法可以以用于在计算机系统上执行的计算机程序产品的形式实施。可以使用产生的容差带将设计者的意图有效地传递给光刻师、OPC工程师或掩模制造者或工具。 | ||
搜索关键词: | 用于 邻近 校正 检查 体现 设计者 意图 容差带 | ||
【主权项】:
1.一种设计掩模版图的方法,包括以下步骤:提供包括多个设计层的电路设计,所述设计层包括在两维平面上设置的特征,所述设计层彼此沿第三维度对准;识别包括将在衬底上形成的关键特征的所述多个设计层中的选择的设计层;识别约束区域,所述约束区域与不同于所述选择的设计层的所述多个设计层中的一个设计层上的影响特征相关,其中所述影响特征与所述关键特征相互作用,所述约束区域与一个或多个约束相关;以及确定与所述关键特征相关的容差带,其中所述容差带限定了这样的区域,在所述区域中当在所述衬底上形成所述关键特征时所述关键特征将满足预先确定的标准,以及其中所述容差带包括由与所述约束区域相关的所述一个或多个约束所约束的边缘。
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