[发明专利]半导体激光发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680038915.5 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101292402A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 野间亚树 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光发光装置(1)，该半导体激光发光装置(1)具有：在基板(2)的上表面，叠层有第一下层包层(11)、第一活性层(12)以及第一上层包层(13)的红外激光发光元件(3)，和叠层有第二下层包层(21)、第二活性层(22)以及第二上层包层(23)的红色激光发光元件(4)。第一下层包层(11)由在基板(2)的整个上表面形成的第三下层包层(17)、在第三下层包层(17)的整个上表面形成的蚀刻阻挡层(18)、和在位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域形成的第四下层包层(19)构成。第二下层包层(21)，形成于位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域以外的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光发光装置，其具有：在一个基板的上表面，叠层第一下层包层、第一活性层以及第一上层包层而形成的红外用的红外激光发光元件，和叠层第二下层包层、第二活性层以及第二上层包层而形成的红色用的红色激光发光元件，该半导体激光发光装置的特征在于：所述第一下层包层由在所述基板的整个上表面形成的第三下层包层、在所述第三下层包层的整个上表面形成的蚀刻阻挡层、和在位于所述蚀刻阻挡层的上表面且形成所述红外激光发光元件的区域形成的第四下层包层构成，所述第二下层包层，形成于位于所述蚀刻阻挡层的上表面且形成所述红外激光发光元件的区域以外的区域。
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