[发明专利]存储器单元布局及工艺流程有效

申请号：	200680039444.X	申请日：	2006-08-28
公开（公告）号：	CN101297399A	公开（公告）日：	2008-10-29
发明（设计）人：	戈登·A·哈勒;戴维·K·黄;倩·登·唐;切雷蒂格·罗伯茨	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/033;H01L21/308
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人：	王允方
地址：	美国爱***	国省代码：	美国;US
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摘要：	一种存储器装置(10)包含有源区(16)，有源区(16)包含界定第一轴线(A－A)的源极(20)及至少两个漏极(18)。至少两个大致平行的字线(12)由第一间距界定，其中一个字线(12)位于每一漏极(18)与源极(20)之间。数字线(14)由第二间距界定，数字线(14)中的一者耦合到源极(20)并形成第二轴线(B－B)。所述存储器阵列的有源区(16)以45°向由字线(12)与数字线(14)界定的网格倾斜。所述字线间距为约1.5F，而所述数字线间距为约3F。
搜索关键词：	存储器单元布局工艺流程
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【主权项】：

1、一种包含集成电路的系统，所述集成电路包含：有源区，其包含源极及漏极；至少两个大致平行字线，其具有比用于形成所述集成电路的光刻技术的最小分辨率(F)小两倍的第一间距，其中所述字线中的至少一者与所述有源区相交；及至少两个数字线，其具有比所述最小分辨率(F)大2.5倍的第二间距，其中所述数字线中的至少一者电耦合到所述源极。

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H 电学

H01 基本电气元件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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