[发明专利]激光加工方法有效
| 申请号： | 200680043210.2 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101313387A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/40;B23K26/16;B23K101/40;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是提供一种激光加工方法，可确实防止微粒附着在切断板状加工对象物所得的芯片上。在经由扩张带(23)对加工对象物1施加应力时，对加工对象物(1)的形成物质(形成有熔融处理区域(13)的加工对象物(1)、切断加工对象物(1)所得的半导体芯片(25)、从该半导体芯片(25)的切断面产生的微粒等)照射软X射线。由此使半导体芯片(25)的切断面所产生的微粒不致任意地飞散，落下到扩张带(23)上。因此，可确实地防止微粒附着在切断加工对象物(1)所得的半导体芯片(25)上。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光加工方法，其特征在于，包含：在板状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，由此沿着所述加工对象物的切断预定线，在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域的工序，及经由具有弹性的薄片对所述加工对象物施加应力，由此以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线切断所述加工对象物，并使由此得到的多个芯片相互分开的工序，在经由所述薄片对所述加工对象物施加应力时，对所述加工对象物的形成物质除去静电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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