[发明专利]用于编程闪速或EE阵列的阵列源极线（AVSS）控制的高电压调整无效
| 申请号： | 200680043551.X | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101461009A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 埃米尔·兰布朗克 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于对闪速存储阵列进行编程的方法，包括：将电流源(410)和电势源中的至少一者耦合到闪速存储阵列中的至少一个选中位线(BL)，通过比较器(430)监视阵列VSS线(AVSS)的电势VAVSS，允许阵列VSS线(AVSS)电浮动直到电势VAVSS近似等于基准电势Vref，以及通过将所述电流源(430)和电势源中的至少一者去耦来终止编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 ee 阵列 源极线 avss 控制 电压 调整 | ||
【主权项】：
1. 一种用于对闪速存储阵列进行编程的方法，所述用于编程的方法包括：将电流源和电势源中的至少一者耦合到所述闪速存储阵列中至少一个被选中位线，所述闪速存储阵列还包括多个闪速存储单元，每个闪速存储单元包括两个晶体管；通过比较器监视阵列VSS线的电势VAVSS，所述阵列VSS线耦合到构成所述闪速存储阵列的所述多个闪速存储单元中的每一者；允许所述阵列VSS线电浮动，直到所述电势VAVSS近似等于基准电势Vref；以及通过将所述电流源和所述电势源中的至少一者去耦来终止所述编程。
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