[发明专利]通过设置假通孔而增加金属化层的附着力的技术无效
| 申请号： | 200680045080.6 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101322238A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | R·里希特;M·沙勒;E·克劳斯;E·郎格尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过电性无功能金属区(electrically non－functional metal region)下方设置假通孔(dummy via)，可明显减少在后续工艺中的金属脱层(delamination)的风险。再者，在一些实施例中，通过设置假金属区，甚至可更增强所获得的金属化层的机械强度，该假金属区可作用为用于上层无功能金属区的固定件(anchor)。此外，亦可设置假通孔与电性作用金属线和金属区结合，因而亦增强其机械稳定性和电性效能。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 设置 假通孔 增加 金属化 附着力 技术 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括下列步骤：在半导体器件(200，300)的第一介电层(205，305)的第一部分(205L，305L)中形成多个通孔(213，313)，其中所述的多个通孔(213，313)中的至少一些为电性无功能通孔(213B，313B)；以及在所述的第一介电层(205，305)的第二部分(205U，305U)中形成第一金属区(212，312)，所述的第二部分(205U，305U)位于所述的第一部分(205L)之上，所述的第一金属区(212，312)连接至所述的电性无功能通孔(213B，313B)的至少其中一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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