[发明专利]用于给基片进行表面处理的装置和方法有效
| 申请号： | 200680047144.6 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101331584A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | H·卡普勒 | 申请（专利权）人： | 吉布尔·施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B05C1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹若 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于对硅晶片进行表面处理的装置，具有用于运输硅晶片的运输辊子以及至少一个设置用于以液态的处理介质沿由运输辊子确定的运输平面湿润硅晶片表面的输送装置，其中，构造所述输送装置用于将处理介质施加到布置在运输平面内的面朝下的硅晶片表面上。设置多个用于从输送装置周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质的抽吸管，其中沿垂直方向在运输平面下方布置这些抽吸管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 进行 表面 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.用于给基片(2)进行表面处理的装置(1)，所述装置具有至少一个用于运输尤其由硅材料制成的基片(2)的运输机构(3，3a)和至少一个用于以液态的处理介质(10)在由运输机构(3，3a)确定的运输平面(5)中湿润基片表面(4)的输送机构(3a)，其特征在于，构造所述输送机构(3a)用于将处理介质(10)施加到布置在运输平面(5)内的面朝下的基片表面(4)上，并且设置至少一个用于从输送机构(3a)周围抽吸气态和/或雾状分布的处理介质(10)的抽吸机构(11)，其中沿垂直方向在运输平面(5)下方布置所述至少一个抽吸机构(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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