[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200680047487.2 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101331586A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 青木由隆 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的绝缘膜；以及薄膜电感器元件，其形成在所述绝缘膜上并包括第一端子、第二端子和导电层，所述导电层在所述第一端子和所述第二端子之间形成为螺旋形状，从而具有多匝和至少一个交点。所述导电层包括：(i)形成在所述半导体衬底上的第一导电层，以及(ii)形成在所述绝缘膜上的第二导电层，所述第二导电层在所述交点处隔着所述绝缘膜与所述第一导电层交叉。所述薄膜电感器元件具有如下设置，其中在沿所述导电层的长度方向从中点到所述第一端子和所述第二端子的方向上对称地设置所述第一导电层和所述第二导电层，所述中点是所述第一端子和所述第二端子之间的中点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的绝缘膜；以及薄膜电感器元件，其形成在所述绝缘膜上并包括第一端子、第二端子和导电层，所述导电层在所述第一端子和所述第二端子之间形成为螺旋形状，从而具有多匝和至少一个交点，其中所述导电层包括：(i)形成在所述半导体衬底上的第一导电层，以及(ii)形成在所述绝缘膜上的第二导电层，所述第二导电层连接到所述第一端子和所述第二端子，在所述交点处隔着所述绝缘膜与所述第一导电层交叉，并在所述交点附近电连接到所述第一导电层，其中在沿所述导电层的长度方向从中点到所述第一端子和所述第二端子的方向上对称地设置所述第一导电层和所述第二导电层，所述中点是所述第一端子和所述第二端子之间的中点，并且其中，将从所述第一端子到电连接到所述第一导电层的所述第二导电层的一部分的长度与从所述第二端子到电连接到所述第一导电层的一部分的长度之比设置为这样的值，使得从所述第一端子所观察到的所述薄膜电感器元件的Q值和从所述第二端子所观察到的所述薄膜电感器元件的Q值之间的差异不超过10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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