[发明专利]用于非易失性存储器的基于行的交替读写有效
| 申请号： | 200680049987.X | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101385089A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·C·古特曼 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 以邻近于一组存储元件的选择栅极线的字线WLn开始编程所述组存储元件。在编程所述第一字线之后，跳过邻近于所述第一字线的下一字线WLn+1且编程邻近于WLn+1的下一字线WLn+2。接着编程WLn+1。编程根据序列{WLn+4、WLn+3、WLn+6、WLn+5，…}而继续，直到已编程所述组的除最后字线外的所有字线为止。接着编程所述最后字线。通过以此方式进行编程，所述组的所述字线中的一些字线(WLn+1、WLn+3等)不具有经随后编程的相邻字线。这些字线的存储器单元将不经历因经随后编程的相邻存储器单元所致的任何浮动栅极到浮动栅极耦合阈值电压移位影响。在不使用基于相邻存储器单元的偏移或补偿的情况下读取不具有经随后编程的相邻字线的字线。使用基于两个经随后编程的相邻字线内的数据状态的补偿读取其它字线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 基于 交替 读写 | ||
【主权项】：
1. 一种编程一组非易失性存储元件的方法，其包含：编程耦合到邻近于用于所述组非易失性存储元件的选择栅极线的第一字线的非易失性存储元件；编程耦合到第三字线的非易失性存储元件，所述第三字线邻近于第二字线，所述第二字线邻近于所述第一字线；以及在编程耦合到所述第三字线的非易失性存储元件和耦合到所述第一字线的非易失性存储元件之后，编程耦合到所述第二字线的非易失性存储元件，其中编程耦合到所述第二字线的非易失性存储元件开始于编程耦合到所述第三字线的非易失性存储元件开始之后。
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