[发明专利]用于半导体的接地屏蔽有效
| 申请号： | 200680052189.2 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101336569A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 任晓伟;R·A·普里奥;D·J·雷米 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种诸如RF LDMOS的半导体器件(310)，其具有接地屏蔽(100)，该接地屏蔽具有一对堆叠的金属层(216、230)。第一金属层(216)沿着半导体器件的长度延伸并在半导体器件本体的上表面上形成。该第一层具有一系列规则地间隔开的横向第一狭槽(222)。与第一金属层同延的并位于其上的第二金属层(230)具有一系列规则地间隔开的横向第二狭槽(232)。第二狭槽覆盖第一狭槽之间的间隔，并且第二金属层的连续部分覆盖第一狭槽。狭槽基本上与在接地屏蔽上延伸的导线(500)平行。接地屏蔽不仅限于两个金属层。接地屏蔽具有促进自动设计的重复单元设计(250)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 接地 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的接地屏蔽，其包括：在半导体本体上的第一金属层，该第一层中包括一系列规则地间隔开的横向第一狭槽；和在第一金属层之上的第二金属层，该第二层中包括一系列规则地间隔开的横向第二狭槽，该第二狭槽覆盖第一狭槽之间的间隔，并且第二金属层覆盖第一狭槽。
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