[发明专利]玻璃和玻璃－陶瓷上锗结构无效
| 申请号： | 200680052647.2 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101371348A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | P·S·丹尼尔森;M·J·德内卡;K·P·加德卡里;J·C·拉普;L·R·平克尼 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;C03C3/04;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种绝缘体上的半导体结构，该结构包括第一层和第二层，第一层和第二层可以直接相互接合，或通过一个或多个中间层接合。第一层包含基本为单晶的锗半导体材料；第二层包含玻璃或玻璃－陶瓷材料，该玻璃或玻璃－陶瓷材料在25－300℃的线性热膨胀系数在锗第一层的线性热膨胀系数的+/－20×10－7/℃范围之内。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 陶瓷 结构 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上半导体结构，该结构包括第一层和第二层，第一层和第二层可以直接相互接合，或通过一个或多个中间层接合，其中第一层包含基本为单晶的含锗半导体材料；第二层包含玻璃或玻璃-陶瓷，该玻璃或玻璃-陶瓷在25-300℃的线性热膨胀系数在锗第一层的线性热膨胀系数的+/-20×10-7/℃范围之内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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