[发明专利]具有STI区的非对称场效应半导体器件无效
| 申请号： | 200680053004.X | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101375404A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 西奥多·詹姆斯·莱塔维克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种高压非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在漏极(34)和栅极(36)之间形成了允许高压操作的电介质，其中STI区包括下部拐角(24)，使下部拐角(24)成形，例如圆形，以降低碰撞电离率。示范性地，成形的拐角终止于(111)晶平面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sti 对称 场效应 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在漏极(34)和栅极(36)之间形成了电介质以允许高压操作，其中所述STI区包括被成形以降低碰撞电离率的下部拐角(24)。
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