[发明专利]用于转移在具有空位团的基片中形成的薄层的改进方法有效
| 申请号： | 200680056214.4 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101529578A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·内雷;奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成半导体结构体的方法和由该方法获得的结构体，所述结构体包括转移自供体基片的层，其中所获得的结构体在缺陷方面具有改善的品质。例如，通过以下方法能够形成绝缘体上的半导体(SeOI)结构体，所述方法包括：提供具有空位团的第一密度的供体基片(1)；提供绝缘层(3)；将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(3)的支持基片(2)；整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；并且所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 具有 空位 片中 形成 薄层 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘体上的半导体结构体(20)的方法，所述方法包括：-提供具有空位团的第一密度的供体基片(1)；-提供绝缘层(30)；-将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(3)的支持基片(2)；-整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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