[发明专利]用于制造净化基体或进一步处理的清洁基体的方法和装置有效
| 申请号： | 200680056235.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101528369A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | S·克拉斯尼特泽;O·格斯托尔;D·伦迪 | 申请（专利权）人： | 奥尔利康贸易股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01J37/32;H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;杨松龄 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 基体的等离子体腐蚀清洁通过包括电子源阴极(5)和阳极装置(7)的等离子体放电装置实施。阳极装置(7)包括一方面的阳极电极(9)以及另一方面的以及与其电绝缘的限制装置(11)。限制装置(11)具有朝向待清洁的基体(21)的区域(S)的开口(13)。电子源阴极(5)和阳极电极(9)由具有电源(19)的供电电路供电。电路电浮动式操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 净化 基体 进一步 处理 清洁 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造至少一个净化基体或由清洁和在这样的清洁之前和/或之后的另外的处理所得到的基体的方法，包括：●在具有反应空间并且包含待电离的气体的真空室中、在至少一个电子源阴极和具有至少一个阳极电极的至少一个阳极装置之间建立至少一个等离子体放电；●通过具有向所述反应空间打开的开口并且包括所述至少一个阳极电极的限制装置，增加所述至少一个阳极装置附近的电子密度并且从而增加离子密度；●在所述限制装置内提供所述阳极电极，以及以与所述阳极电极的电势不同的电势操作所述限制装置，从而使增加的离子密度集中于所述限制装置中和所述开口附近；●使所述基体处于至少时间上平均的、关于所述阳极电极的所述电势的负电势；●在预定的清洁时间内，使所述基体的至少待清洁的表面暴露于所述增加的离子密度的且在所述开口附近的区域，从而在离所述开口比离所述电子源阴极明显地更近的区域。
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