[发明专利]高压驱动集成电路的静电防护结构无效
| 申请号： | 200710001222.5 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101217234A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 邓志辉;吴钧晖;张藤宝 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压驱动集成电路的静电防护结构，其包括：限流元件，用以限制流至高压驱动集成电路的电流量，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端口相连接；至少一个静电放电保护装置，用以防止静电放电所产生的大电流造成对高压驱动集成电路的破坏，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端相连接；金属氧化半导体场效晶体管，在其输出管脚附加有硅控整流器；电源钳制电路，用以限制电源端输出的电流量，并串接于金属氧化半导体场效晶体管的源极与漏极端。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 驱动 集成电路 静电 防护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压驱动集成电路的静电防护结构，其特征在于，包括：限流元件，用以限制流至高压驱动集成电路的电流量，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端口相连接；至少一个静电放电保护装置，用以防止静电放电所产生的大电流造成对高压驱动集成电路的破坏，并与高压驱动集成电路的输入/出管脚端口相连接；金属氧化半导体场效晶体管，在其输出管脚附加有硅控整流器；以及电源钳制电路，用以限制电源端输出的电流量，并串接于金属氧化半导体场效晶体管的源极与漏极端。
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