[发明专利]多位准记忆单元的操作方法及用其作储存资料的集成电路有效
| 申请号： | 200710002768.2 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101236782A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌;吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/30;G11C16/26;H01L27/115;H01L29/778;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关一种多位准记忆单元的操作方法。该方法包括：(a)操作多位准记忆单元，至多位准记忆单元的一临界电压大于预先程序化临界电压；以及(b)操作多位准记忆单元，至多位准记忆单元的临界电压大于目标程序化临界电压、小于预先程序化临界电压。另外，在步骤(a)与步骤(b)之间，可进一步包括，(c)进行第一验证步骤，若临界电压小于预先程序化临界电压则重复步骤(a)。此外，在步骤(b)之后，还可包括：(d)进行第二验证步骤，其中若临界电压大于预先程序化临界电压则重复步骤(b)，而若临界电压小于目标程序化临界电压则重复步骤(a)～(d)。本发明可使记忆单元精确地到达目标程序化临界电压，还可降低读取时误判的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 多位准 记忆 单元 操作方法 储存 资料 集成电路 | ||
【主权项】：
1. 一种多位准记忆单元的操作方法，该多位准记忆单元包括一基底、一控制栅极、位于该基底与该控制栅极之间的一电荷储存层，以及位于该基底中的二源极/漏极区，其特征在于该操作方法包括：(a)操作该多位准记忆单元，至该多位准记忆单元的一临界电压大于一预先程序化临界电压；以及(b)操作该多位准记忆单元，至该多位准记忆单元的该临界电压大于一目标程序化临界电压、小于该预先程序化临界电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710002768.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防止滴定故障导致过量添加的安全控制装置
- 下一篇：一种压缩机往复式活塞
