[发明专利]半导体装置与动态随机存取存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200710005301.3 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101136364A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;沈载勋;陈椿瑶 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/02;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/12;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置的制造方法，包括：提供基板；于该基板内形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区的对应侧的第一侧与第二侧；于该基板上形成第一晶体管，该第一晶体管沿该凹陷区的第一侧而设置且具有第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区位于该凹陷区内，而该第二源极/漏极区位于该非凹陷区内；以及形成位线与第一存储装置，分别耦接于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区。本发明亦提供了一种动态随机存取存储器的制造方法。本发明可在存储单元尺寸的进一步缩减过程中改善存储单元的数据保存情形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 动态 随机存取存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供基板；于该基板内形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区的对应侧的第一侧与第二侧；于该基板上形成第一晶体管，该第一晶体管沿该凹陷区的第一侧而设置于该基板上，该第一晶体管具有第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区位于该凹陷区内，而该第二源极/漏极区位于该非凹陷区内；形成位线，该位线耦接于该第一源极/漏极区；以及形成第一存储装置，该第一存储装置电连接于该第二源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
