[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构

摘要

本发明有关于一种利用蚀刻工艺搭配平坦化工艺，例如化学机械抛光工艺，以制作应变硅沟道的互补式金属氧化物半导体晶体管的方法及其结构，本发明的优点在于可以解决应力层之间重叠区域定义的问题，并且可以提升工艺成品率以及降低制作成本。

主权项

1. 一种制作应变硅沟道的互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，包含有：提供一基底，且该基底具有用以制备第一晶体管的至少一第一有源区域、用以制备第二晶体管的至少一第二有源区域、以及位于该第一有源区域和该第二有源区域之间的绝缘结构；在该第一有源区域上形成至少一第一栅极结构，并且在该第二有源区域上形成至少一第二栅极结构；形成该第一晶体管的源极与漏极区域，与该第二晶体管的源极与漏极区域；在该绝缘结构、该第一有源区域与该第二有源区域上形成一第一应力层；在该第一应力层上形成停止层；在该第一有源区域上的该第一应力层上的该停止层上形成第一掩模层；去除该第二有源区域上的该停止层与该第一应力层；移除该第一掩模层；在该第一有源区域上的该停止层、部分的该绝缘结构、与该第二有源区域上形成第二应力层；在该第二应力层上形成第一介电层；以及进行平坦化工艺，磨平该第一介电层与该停止层上的部分该第二应力层，直到暴露出该停止层。