[发明专利]用于半导体器件的绝缘膜沉积方法无效
| 申请号： | 200710005505.7 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071771A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 金容根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜沉积方法，该方法包括：将工艺气体注入到工艺室中以沉积薄膜，并在注入工艺气体的同时在工艺室的内部形成等离子体气氛，以在半导体基底上沉积薄膜。通过工艺气体和等离子体之间的反应来形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 绝缘 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体器件的薄膜沉积方法，包括：将用于薄膜沉积的工艺气体注入到工艺室中；在注入所述工艺气体的同时在所述工艺室内部形成等离子体气氛，以在半导体基底上沉积薄膜，通过所述工艺气体和所述等离子体之间的反应来形成所述薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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