[发明专利]制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

本发明揭示了一种制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法。首先，提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域用以制备第一晶体管以及至少一第二有源区域用以制备第二晶体管。接着依序形成第一蚀刻停止层、应力层以及第二蚀刻停止层的三层结构于该第一晶体管、该第二晶体管及该绝缘结构表面。然后形成第一图案化光刻胶层于该第一有源区域上，并进行第一蚀刻工艺，去除该第二有源区域的该第二蚀刻停止层与部分该应力层。随后移除该第一图案化光刻胶层，并进行第二蚀刻工艺，利用该第一有源区域的该第二蚀刻停止层当作掩模去除该第二有源区域剩余的该应力层。

主权项

1. 一种制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法，该方法包含有下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底具有用以制备第一晶体管的第一有源区域、至少一个用以制备第二晶体管的第二有源区域、以及绝缘结构设于该第一有源区域与该第二有源区域之间；分别形成该第一晶体管的源极与漏极区域与该第二晶体管的源极与漏极区域；依序形成第一蚀刻停止层、第一应力层及第二蚀刻停止层，并覆盖于该第一晶体管、该第二晶体管及该绝缘结构；形成第一图案化光刻胶层于该第一有源区域的该第二蚀刻停止层上；进行第一蚀刻工艺，去除该第二有源区域的该第二蚀刻停止层与部分该第一应力层；移除该第一图案化光刻胶层；以及进行第二蚀刻工艺，利用该第一有源区域的该第二蚀刻停止层当作掩模去除该第二有源区域剩余的该第一应力层。