[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200710007267.3 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101089993A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 三谷和之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是将存储单元分成多个存储块的分割预充电方式的半导体存储装置中，数据线(DL)、反数据线(DLB)变长，串扰的影响大。其特征在于，配置仅由数据线(DL)或反数据线(DLB)构成的列，以使具有互补关系的数据线(DL)和反数据线(DLB)的复合列相邻。这种情况下，能够不增大各数据线(DL)、各反数据线(DLB)的间隔，而将串扰的影响减半。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有：存储单元，矩阵状地配置多个；以及互补关系的位线以及反位线，共用连接到同列的存储单元，其特征在于：所述存储单元被分割为由多个列的存储单元构成的存储块，所述存储块间对应的所述位线的数据被输出到共用的数据线中，所述存储块间对应的所述位线的数据被输出到共用的反数据线中，配置仅由所述数据线或所述反数据线构成的列，以使具有互补关系的所述数据线和所述反数据线的复合列相邻。
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