[发明专利]一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置有效

专利信息
申请号: 200710009237.6 申请日: 2007-07-17
公开(公告)号: CN101092740A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 杨继荣;孙坤泽;洪永强 申请(专利权)人: 佳科太阳能硅(厦门)有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06;C01B33/021
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 代理人: 马应森
地址: 361021福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置,涉及一种多晶硅。提供一种结构简单的多晶硅定向凝固装置及其设备简单、投入少和能耗小的多晶硅的提纯方法。设炉体、炉盖、耐火保温层、焦炭燃烧室、石墨容器和温度控制系统。将硅粉投入炉内熔化成硅水,将石墨容器放于焦炭燃烧室底部的底座和炉桥的正上方,将焦炭放入焦炭燃烧室,盖上炉盖,石墨容器加热至1100℃以上,将硅液体温度加热至1550~1800℃,将焦炭炉送到炉前,将硅液体倒入容器,在硅水上方覆盖稻壳。安装热电偶,焦炭炉温度升至1300~1450℃,使焦炭炉的温度下降至700~900℃,自然降温至80℃以下时取出硅锭。
搜索关键词: 一种 多晶 提纯 方法 及其 凝固 装置
【主权项】:
1.多晶硅定向凝固装置,为焦炭炉,设有炉体、炉盖和温度控制系统,其特征在于还设有耐火保温层、焦炭燃烧室和石墨容器,炉体由外壳和内衬组成,外壳下方设有进气口,内衬设于外壳内侧;炉盖位于炉体正上方,炉盖设有吊钩、排气口和加料口;焦炭燃烧室设于耐火保温层的内部区域,焦炭燃烧室的下方构筑炉桥,炉桥下方与炉体侧面进气口相通;石墨容器位于焦炭燃烧室正中间,石墨容器用于硅液的凝固。
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