[发明专利]锑化铟霍尔元件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锑化铟霍尔元件及制造方法，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸；制造方法主要步骤是：1)镍锌材料基板受入；2)形成二氧化硅绝缘层；3)蒸着锑化铟感知膜；4)光刻形成“十”字形锑化铟感知膜；5)光刻形成“十”字形液体树脂保护膜；6)光刻形成四个金电极图形；7)金电极图形形成以后进行电极蒸着，在芯片表面依次蒸着一层Cr和Au形成四个金电极；8)最后芯片进行划片、切割，在四个金电极上使用金丝球焊连接、进行超小型封装，再进行电镀处理以后就形成了锑化铟高灵敏度型霍尔器件。制造方法简单易行，成本较低。

主权项

1. 一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，其特征是：“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸。