[发明专利]一种表面等离子共振芯片的再生方法无效

专利信息
申请号: 200710024054.1 申请日: 2007-07-16
公开(公告)号: CN101101289A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 罗昭锋;欧惠超;李磊珂;陈宇春;张微微;燕云峰 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G01N33/50 分类号: G01N33/50;G01N21/55;G01N21/41
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 何梅生
地址: 230026*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明表面等离子共振芯片的再生方法,特征是采用硫酸-双氧水混合液处理芯片,使芯片表面基质彻底去除后,借助金属表面自组装技术在芯片表面重新构建不同类型的基质,最后将芯片固定于芯片支架上,从而实现废旧芯片的再生;本发明具有再生芯片类型不受限制、可重复实施的优点,再生后的芯片能达到商业化芯片相同的性能,解决了表面等离子共振芯片不能重复利用的问题。
搜索关键词: 一种 表面 等离子 共振 芯片 再生 方法
【主权项】:
1、一种表面等离子共振芯片的再生方法,其特征在于包括如下步骤:(1)芯片表面的预处理:a)将固定有芯片的支架放入体积百分浓度为50-100%乙醇水溶液中超声处理至少1分钟,然后将芯片从支架上夹取下来;b)芯片表面的清洗:若经超声处理的芯片表面粘附有杂质,则将芯片放入四氢呋喃或丙酮中浸泡或超声处理至少1分钟,取出后用水洗净并干燥;若经超声处理的芯片表面无粘附杂质,则用水洗净并干燥;c)芯片表面基质的去除:将上述处理的芯片放入硫酸与双氧水按体积比100∶1-400的混合液中浸泡至少5分钟,取出后用水洗净并干燥;(2)进行芯片表面基质的重构;(3)将经表面基质重构后的芯片固定于芯片支架上;所述芯片包括J1芯片、CM系列芯片、C1芯片、HPA芯片、SA芯片或NTA芯片;所述J1芯片表面为纯金膜,无其它任何基质;所述CM系列芯片包括CM5、CM4或CM3芯片:CM5芯片表面基质为羧甲基化葡聚糖,CM4芯片表面基质为较CM5芯片羧甲基化程度低的羧甲基化葡聚糖,CM3芯片表面基质为较CM5芯片低分子量的羧甲基化葡聚糖;所述C1芯片表面基质为无葡聚糖基质的直链羧化物;所述HPA芯片表面基质为疏水性物质;所述SA芯片表面基质为偶联有链霉亲和素的羧甲基化葡聚糖;所述NTA芯片表面基质为具有氮川三乙酸表面的羧甲基化葡聚糖。
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