[发明专利]低温高硅炻瓷及其制作工艺无效
| 申请号： | 200710035134.7 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101066862A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 曾友强 | 申请（专利权）人： | 湖南华联溢百利瓷业有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/64;C04B35/63;C04B35/80 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 412200湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 低温高硅炻瓷及其制作工艺，针对传统高硅炻瓷的膨胀系数与一些特殊艺术釉不匹配的问题，在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数。在原炻瓷组成的基础上，加入不同颗粒级别的石英，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下：钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。采用普通炻瓷烧制工艺，其特征在于：烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 高硅炻瓷 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、低温高硅炻瓷，其特征在于：在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数；主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下：钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。
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