[发明专利]晶片平坦度测量点分布方法有效
| 申请号： | 200710037779.4 | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101256975A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张斐尧;李福洪;江思明;姚宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶片平坦度测量点分布方法，包括：测量所述晶片的半径R；将所述半径划分为特定数目的等份；以所述各等份为半径确定各同心圆；以数量递增的方式将所述测量点布置于所述各同心圆的圆周上。本发明能够提高测量点在晶片表面的分布均匀性，以非常小的边缘排除量进行平坦度的测量，更加全面客观地反应晶片表面形态。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 平坦 测量 分布 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种晶片平坦度测量点分布方法，包括：测量所述晶片的半径R；将所述半径划分为特定数目的等份；根据所述等份确定各同心圆；沿圆心到圆周的方向以数量递增的方式在所述各同心圆的圆周上布置测量点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710037779.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动式区域突发停断电应急电力保障系统
- 下一篇：一种刷卡装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
