[发明专利]氧化硅纳米线的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200710039115.1 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101279736A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;张爱霞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;沈其梅 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化硅纳米线的制备方法。本发明中氧化硅纳米线的制备方法如下：将硅油或硅脂置于刚玉容器内，加少量有机金属化合物，将刚玉容器放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并通入惰性气体保护，将炉温升到950－1100℃，保温1－5小时。即得到非晶的氧化硅纳米线，所得产物直径超细、长度比现有的方法制备的提高了1－2个量级，制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1. 氧化硅纳米线的制备方法，其特征在于，将硅油置于刚玉容器内，加适量有机金属化合物，将刚玉容器放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并通入惰性气体保护，将炉温升到950-1100℃，保温1-5小时。
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