[发明专利]测试基体、测试基体掩膜及测试基体的形成方法有效
| 申请号： | 200710040248.0 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295705A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试基体，所述测试基体包含至少一个孤立测试单元系列，单一所述孤立测试单元系列包含至少两个孤立测试单元，所述孤立测试单元包含一个测试基元和两个测试辅助基元，所述测试基元与测试辅助基元间隔相接。本发明还提供了一种测试基体掩膜和一种测试基体的形成方法。可通过检测所述钝化层缺失的变化，进而可获得合适的工艺窗口，以抑制所述钝化层缺失现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 基体 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试基体，其特征在于：所述测试基体包含至少一个孤立测试单元系列，单一所述孤立测试单元系列包含至少两个孤立测试单元，所述孤立测试单元包含一个测试基元和两个测试辅助基元，所述测试基元与测试辅助基元间隔相接。
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