[发明专利]一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法及测试结构有效
申请号: | 200710040532.8 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101304013A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 周华阳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/522;H01L23/544 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种防止封装芯片上的顶层金属层在高温下断裂的方法,通过在顶层金属线和铝焊垫之间连接处引入下层金属层,并在顶层金属层和下层金属层之间的连接处以及下层金属层和铝焊垫之间的连接处打金属插塞,避免了因金球、铝焊垫以及顶层金属相互扩散造成的顶层金属层断裂。一种防止封装芯片上的顶层金属层在高温下断裂的测试结构,至少包括:顶层金属层,下层金属层,铝焊垫和金属插塞;所述顶层金属层和所述下层金属层之间,所述下层金属层和所述铝焊垫之间皆是通过所述金属插塞来连接的。本发明提高了测试效率,节约了资源,节省了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 封装 芯片 顶层 金属 断裂 方法 测试 结构 | ||
【主权项】:
1.一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法,其特征在于:在顶层金属层和铝焊垫之间的连接处引入下层金属层,并在顶层金属层和下层金属层之间的连接处通过金属插塞连接,以及在下层金属层与铝焊垫下的顶层金属层之间的连接处通过金属插塞连接。
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