[发明专利]集成电路芯片的钝化层有效
| 申请号： | 200710040534.7 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101304023A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曾建平;董梅;马琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/00;H01L21/71;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，其特征在于，所述钝化层还包括第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于第一二氧化硅层和氮化硅层之间。本发明的钝化层可以有效避免钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层之间的剥离脱落，进而提高集成电路芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 钝化 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，其特征在于，所述钝化层还包括第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于氮化硅层和第一二氧化硅层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
