[发明专利]可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 200710044802.2 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364535A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;王心 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；图案化所述第一氧化层，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层；将所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。本发明的可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法能够精确地控制栅极氧化层的厚度，满足不同阈值电压的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 可调整 栅极 氧化 厚度 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；图案化所述第一氧化层，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层；将所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
