[发明专利]常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法无效
| 申请号： | 200710045785.4 | 申请日： | 2007-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101122015A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 杨沁玉;夏磊;刘磊;徐金洲;郭颖;张菁 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/22;C23C16/52;C09K11/08 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括步骤：(1)沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；(2)通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压附近；(3)反应室内的气压稳定后，基板上加脉冲偏压，调节等离子体发生器频率和功率；(4)放电反应后，取出基片，获得纳米硅基多孔发光薄膜。该方法可以在一种环境干燥，装置简单，操作简便的接近常压的设备中进行，改变等离子体放电参数和脉冲偏压，调节单体与载气的比例及其流量等，可获得具有不同晶粒尺度、孔结构、成分及膜厚的高质量的纳米硅基多孔薄膜，并具有可调的荧光发射波长和增强的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 等离子体 沉积 制备 纳米 基多 发光 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括下列步骤：(1)沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；(2)通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压附近；(3)反应室内的气压稳定后，基板上加脉冲偏压，调节等离子体发生器频率和功率；(4)放电反应后，取出基片，获得纳米硅基多孔发光薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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