[发明专利]纳米MgO晶须的低温制备方法无效
| 申请号： | 200710061300.0 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101220516A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;史庆志;马宗青 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/16;C30B25/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米MgO晶须的低温制备方法。将镁粉和无定形硼粉按照原子比为Mg∶B＝1～1.5∶2混合，并研磨30～120min使其充分混合，将混合粉末用压力机在5～10kg/cm3的压力下压制成烧结块体后放入坩埚内，将坩埚放入真空管式炉的加热区，对管式炉进行密封并抽真空至1～10Pa后充入混有2％～5％氧气的氩气，混合气体流速控制在5～20lit./min，以5～20K/min的升温速率将样品加热到650～750℃并保温0～120min后以相同速率降至室温，样品表面生成不同形貌和尺寸的纳米MgO晶须。当镁在达到650℃的温度时便会挥发并与充入的少量氧气反应生成MgO蒸气，在较低的过饱和状态下便会在基片上沉积出MgO晶须。该方法制备MgO晶须所需温度比先前有明显降低，大大增加了制备MgO晶须的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 mgo 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是将镁粉和无定形硼粉按照原子比为Mg∶B＝1～1.5∶2混合，并研磨30～120min使其充分混合，将混合粉末用压力机在5～10kg/cm3 的压力下压制成烧结块体后放入坩埚内，然后将坩埚放入真空管式炉的加热区，随后对管式炉进行密封并抽真空至1～10Pa后充入混有2％～5％氧气的氩气，混合气体流速控制在5～20lit./min，以5～20K/min的升温速率将样品加热到650～750℃并保温0～120min后以相同速率降至室温，可使样品表面生成不同形貌和尺寸的纳米MgO晶须。
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