[发明专利]多晶硅的等离子生产方法及其装置无效
| 申请号： | 200710063653.4 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101239723A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吕剑虹 | 申请（专利权）人： | 北京明远通科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027;C01B33/03;C30B28/14 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 100081北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明为多晶硅的等离子生产方法及其装置，涉及半导体材料领域，目前主要利用三氯氢硅在电炉中裂解成盐酸、氯气和多晶硅，这种方法成本高，热裂解效率低，提纯工艺复杂，本发明采用硅烷或卤代硅烷作为原料，与氢气一起加热到等离子状态，在冷却过程中生成多晶硅，本发明具有建设投资费用低，生产费用只有现有技术的五分之一，生产效率高，产生的尾气可以供工业和民用进一步利用，不需特别的环保处理，适合于各种规模生产线要求的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 等离子 生产 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1. 多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为将作为原料的硅烷或卤代硅烷气体与氢气经预热后通入温度为1450——1550℃的等离子转换室，混合物在瞬间被加热到等离子状态，在冷却过程中生成硅单体的液体或细粉末和气体副产物，液体硅单体经液态硅流出口流出，硅单体细粉末和气体副产物进入尾气分离室进行分离，分离出的气体副产品进入尾气储存罐。
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